Мастера
        Детектива

Произведения:

Джон Апдайк

   

Особенности работы транзисторов в

При конструировании, создании и эксплуатации радиоаппаратуры следует принимать во внимание ее специфические особенности. Высокая надежность радиотехники может быть обеспечена только при учете таких факторов, как разброс характеристик транзисторов, их температурная нестабильность и зависимость параметров от режима работы, а также изменение характеристик транзисторов в процессе эксплуатации.

Полупроводниковые приборы сохраняют свои параметры в установленных пределах в условиях эксплуатации и хранения, характерных для разных видов и классов аппаратуры. Условия эксплуатации аппаратуры могут изменяться в больших пределах. Эти условия характеризуются внешними механическими нагрузками и климатическими воздействиями (атмосферными и др.).

Общие требования, справедливые для всех транзисторов, предназначенных для применения в аппаратуре определенного класса, содержатся в общих технических условиях. Нормы на значения электрических характеристик и специфические требования, относящиеся к конкретному виду транзистора, находятся в частных технических условиях.

Для удобства конструирования и ремонта основные аналоги транзисторов и их схемы собраны в справочнике. К преимуществам электронного справочника надо отнести его общедоступность, пополняемость, простой поиск нужного транзистора по маркировке и аналогу.

Под воздействием различных факторов окружающей среды некоторые характеристики транзисторов и свойства могут изменяться. Для герметичной защиты транзисторных структур от внешних воздействий служат корпуса приборов. Конструктивное оформление полупроводниковых приборов рассчитано на их использование в составе аппаратуры при различных допустимых условиях применения. Надо запомнить, что корпуса транзисторов, в конечном счете, имеют ограничение по герметичности. Поэтому при использовании электронных приборов в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации в условиях повышенной влажности, платы с расположенными на них электронными элементами необходимо покрывать лаком не менее чем в три слоя.

Все большее распространение находят так называемые бескорпусные транзисторы, изготовленные для применения в микросхемах и микросборках. Кристаллы таких элементов защищены специальным покрытием, но оно не дает дополнительной защиты от воздействия окружающей среды. Защита достигается общей герметизацией всей микросхемы.

Чтобы осуществить долголетнюю и безотказную работу сотовой аппаратуры, конструктор должен не только учесть характерные особенности транзисторов на этапе разработки аппаратуры, но и осуществить должные условия ее эксплуатации и хранения.

Транзисторы - приборы универсального назначения. Они могут быть без нареканий использованы не только в классе устройств, для которых они разработаны, но и во многих других устройствах. Но набор параметров и характеристик, приводимых в электронном справочнике, соответствует первоочередному назначению транзистора. В справочнике приводятся значения параметров транзисторов, гарантируемые техническими условиями для соответствующих оптимальных или предельных режимов работы. Рабочий режим транзистора в ремонтируемом блоке часто отличается от того режима, для которого приведены параметры в ТУ.

Значения большинства параметров транзисторов зависят от проектируемого режима и температуры, и с увеличением температуры зависимость параметров от режима сказывается более сильно. В справочнике приводятся, как правило, типовые (усредненные) зависимости характеристик транзисторов от тока, напряжения, температуры, частоты и т. п. Данные зависимости должны использоваться при установке типа транзистора и ориентировочных расчетах, так как данные параметров трехполюсников одного типа не одинаковы, а лежат в некотором интервале. Данный интервал ограничивается минимальным или максимальным значением, указанным в справочнике. Некоторые параметры имеют двустороннее ограничение.

При настройке радиоаппаратуры необходимо стремиться обеспечить их работоспособность в возможно более широких интервалах изменений важнейших характеристик транзисторов. Разброс параметров транзисторов и их изменение во времени при разработке могут быть учтены расчетными методами или экспериментально — методом граничных испытаний.

Полевые транзисторы с управляющим р-n переходом функционируют в режиме обеднения канала носителями заряда (независимо от типа его проводимости) при изменении напряжения затвор - исток от нулевого значения до напряжения отсечки тока стока.

В отличие от транзисторов с управляющим р-n переходом, у которых функциональная область составляет от Uзи = 0 до напряжения запирания, МДП-транзисторы сохраняют большое входное сопротивление при различных значениях напряжения на затворе, которое ограничено напряжением пробоя изолятора затвора.
 
   

 

© 2006-2009 Фонд "Литературная коллекция"